10.3321/j.issn:0253-3219.2003.09.003
SOI材料和器件及其应用的新进展
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器件的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态.
绝缘层上的硅(SOI)、辐射、SOI产业化
26
TN303(半导体技术)
2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
658-663
10.3321/j.issn:0253-3219.2003.09.003
绝缘层上的硅(SOI)、辐射、SOI产业化
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TN303(半导体技术)
2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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