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10.3321/j.issn:0253-3219.2003.09.003

SOI材料和器件及其应用的新进展

引用
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器件的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态.

绝缘层上的硅(SOI)、辐射、SOI产业化

26

TN303(半导体技术)

2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

658-663

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核技术

0253-3219

31-1342/TL

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2003,26(9)

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