空间实用GaAs/Ge太阳电池高能质子辐射效应研究

摘要：

用能量为5-20MeV,注量为1×109-7×1013 cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并进行了微观机理的讨论.研究结果表明,注量低于1×109 cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化; 注量高于1×109 cm-2辐照,会引起太阳电池性能的改变.当注量为3×1012 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起太阳电池性能参数Isc衰降变化分别是原值的80%、86%、90%;Voc衰降变化分别为原值的82%、85%、88%;Pmax衰降的变化分别为原值的60%、64%、67%.当辐照注量为5×1013 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起Pmax衰降的变化分别为原值的26%、30%、36%.即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小.这与质子在电池材料中的能量损失和辐照引入的深能级Ec-0.41eV有关.

关键词：GaAs/Ge太阳电池、质子、辐照效应

所属期刊栏目：26

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：教育部重点实验室基金;国家高技术研究发展计划863计划;北京市科学技术研究院萌芽计划项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：432-435