CMOS器件X 射线与γ射线辐照效应比较

摘要：

介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金Kovar合金封装的器件,在背向辐照的最劣辐照偏置下,X射线产生的阈电压漂移是60Co γ射线的13.4倍.

关键词：CMOS器件、X射线、γ射线、剂量增强

所属期刊栏目：24

分类号：O571.33;R144.1(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：807-811