PIXE、SEM与切片技术相结合研究低能离子注入种子的浓度-深度分布

摘要：

用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为200keV的钒离子注入花生后的浓度-深度分布进行了测定，注入剂量为9×1016/cm2。结果显示，钒离子注入花生后的浓度-深度分布与离子注入金属、半导体中的分布有明显的差异：离子的射程歧离很大，少数离子的射程延伸到很深的区域。这种分布特征可能与植物种子具有疏松的结构有关。

关键词：质子激发X荧光、扫描电镜、种子、离子注入、浓度-深度分布

所属期刊栏目：24

分类号：O31;O571.33(理论力学（一般力学）)

资助基金：国家自然科学基金1989300;教育部重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：456-460