高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究

摘要：

用1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照，并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明，在未辐照二氧化硅玻璃中有近81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的；根据o-Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0.02—0.13nm3的区域里，平均自由体积半径约为2.5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄，峰位下移，显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大，第二正电子寿命成分的强度逐渐增加，而相应于o-Ps的寿命成分的强度逐渐减小，这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游，使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大，从而减小了正电子素的形成几率。

关键词：二氧化硅玻璃、氩离子辐照、正电子寿命、微观结构

所属期刊栏目：24

分类号：O483(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目KJ952-S1-423;中国博士后科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：439-444