钼离子注入硅薄层硅化钼的合成

摘要：

用大束流密度的钼金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物.随着束流密度的增加,硅化钼生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显下降,当束流密度为0.5A/m2时,Rs达到最小值90Ω,说明连续的硅化物已经形成.X衍射分析结果表明,注入层中形成了3种硅化钼Mo3Si、Mo5Si3和MoSi2.经过900℃退火后,Rs下降至4Ω,电阻率可小到0.16 μΩ@m,说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善.大束流密度注入和退火后,硅化钼优先生长有所不同.透射电子显微镜的观察表明,连续硅化钼薄层厚度为80nm.

关键词：钼离子注入、注入硅、硅化物合成、快速退火、大束流密度

所属期刊栏目：23

分类号：TG1;TB3

资助基金：国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划863计划59501004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：599-603