离子束增强沉积法制备Mo2N和Mo2-xTixN薄膜及其结构与性能研究

摘要：

分别采用氮离子束增强沉积和N-Ti离子束同步增强沉积工艺制备了Mo2N和Mo2-xTixN薄膜，用XRD、TEM、划痕和阳极极化方法研究了两者的结构与性能。结果表明，N-Ti离子束同步增强沉积工艺制备的Mo2-xTixN薄膜的膜基结合力、致密性和抗腐蚀性能均优于氮离子增强沉积的Mo2N薄膜，Mo2-xTixN薄膜划痕临界载荷达3000gf，比Mo2N薄膜提高一倍。自腐蚀电位从Mo2N薄膜的32mV提高到Mo2-xTixN薄膜的166mV，自腐蚀电流相应地从0.5μA/cm2减小到0.26μA/cm2。Mo2-xTixN薄膜的结构是Mo2N的f.c.c.结构。

关键词：金属离子束、Mo2N、增强沉积

所属期刊栏目：23

分类号：TL501(加速器)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：483-487