微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷

摘要：

采用正电子湮没寿命谱方法，对空间微重力及重力条件下生长的碲镉汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重力条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。

关键词：微重力、缺陷、碲镉汞

所属期刊栏目：23

分类号：O571.23;O77+1(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：中国科学院资助项目KJ952-S1-416;国家自然科学基金19805010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：381-383