阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

摘要：

用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多。长寿命(正电子素)成分较少。扫描电子显微镜显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几μm的单晶球形成。并观察到部分单晶球脱离后形成的微米坑。空位缺陷增多的原因可能是随着阳极氧化时间的延长，多孔硅结构向内层延伸增加了空位缺陷。但扫描电子显微镜的观察结果并不排除另一种可能部分表面结构的变化增大了表面层的空位缺陷浓度。

关键词：正电子湮没、扫描电子显微镜、多孔硅

所属期刊栏目：23

分类号：TN304;TN304.84(半导体技术)

资助基金：中国科学院科研项目19805010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：376-380