GaP高能重离子辐照损伤及退火的正电子湮没研究

摘要：

用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm2 85MeV 19F离子辐照GaP的辐照损伤及其退火效应。结果表明，高低两种注量辐照在GaP中产生浓度较高的单空位。在300×1023K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。低注量辐照样品在退火过程中有双空位的形成；而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式，其完全被退火的温度比低剂量辐照的高250K。

关键词：GaP、19F离子、辐照损伤、退火效应、正电子湮没

所属期刊栏目：23

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金19835050;国家预研基金97J11.2.8HZ010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：359-362