导流墙偏置位置对氧化沟性能影响的分析

摘要：

针对偏置导流墙氧化沟复杂结构的特点,采用计算流体力学数值模型和Fluent计算方法,将导流墙偏置距沿径向从0至1m,间隔0.25m进行偏置距位置变化,对氧化沟流场进行了数值计算模拟.研究结果表明:导流墙的偏置距设置对改善隔墙背后的水流低速区和消除污泥沉积有促进作用,但当导流墙的偏置距增加到一定值时,在隔墙背后径向半宽处会形成第二个水流低速区.在比较不同导流墙偏置距的速度曲线基础上,认为导流墙的偏置距应设置在0.3m-0.4m之间较合适,从而为偏置导流墙的合理设计提供理论依据.

关键词：氧化沟、导流墙、数值模拟、流场分析

所属期刊栏目：33

分类号：TU992.3;X703(地下建筑)

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：162-165