砷(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及吸附性能研究

摘要：

以磁性氧化石墨烯为载体,砷离子(As (Ⅲ))为模板离子,3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为功能单体,正硅酸乙酯(TEOS)为交联剂合成了As(Ⅲ)离子印迹磁性氧化石墨烯纳米材料(MGO-IIP),并使用扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X-射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计对合成材料进行了表征.同时,考察了MGO-IIP对As(Ⅲ)的吸附特性.结果表明:318 K下MGO-IIP对As (Ⅲ)的最大吸附量为148.1 mg·g-1,仅20 min即可达到吸附平衡,印迹因子为2.35;吸附过程服从Langmuir模型和准二级动力学模型,说明是自发的吸热过程;在其他干扰离子存在的情况下,MGO-IIP对As(Ⅲ)仍然具有良好的吸附效果,且能够重复使用4次,在含砷废水处理中具有应用价值.MGO-IIP材料对As(Ⅲ)的吸附机制为表面络合作用及物理吸附.

关键词：砷、离子印迹、选择性吸附、磁性氧化石墨烯

所属期刊栏目：39

分类号：X703(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金41272262;广东省科技计划项目2016A040403112;广东省教育厅重大项目自然科学261555101

在线出版日期：2019-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：3010-3017