氧化铟掺杂的氧化镓光催化固氮性能研究
成功将氧化铟掺杂到氧化镓上制备了In2O3/Ga2O3催化剂,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(rEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外漫反射光谱(UV-Vis DRS)、光致发光光谱(PL)和电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)等表征手段对In2O3/Ga2O3进行了分析.同时,进一步考察了In2O3/Ga2O3的光催化固氮性能.结果表明,In2O3的引入提高了Ga2O3的光吸收性能和氧空位的比例,并且有利于其表面光生电子和空穴的分离.当In2O3/Ga2O3材料用于光催化固氮时,其最佳In2O3掺杂量为2.29%,最佳材料焙烧温度为500℃.最后,研究了空穴捕获剂种类的影响,发现在叔丁醇的体系中,In2 O3/Ga2O3的光催化固氮效率最高.此外,氮源对固氮效果也存在较大影响.以空气作为氮源的光催化固氮过程因存在间接固氮过程,相对于以高纯氮气作为氮源的光催化固氮效率更高.
氧化铟、氧化镓、光催化固氮
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X131(环境化学)
国家自然科学基金51478223,51678306,51178223;the National Natural Science Foundation of China51478223,51678306,51178223
2017-08-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
2989-2995