入射能量对H2+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟

摘要：

用分子动力学方法研究了入射能量对 H2+与 SiC 样品表面相互作用的影响.模拟结果表明,在 H2+轰击 SiC 样品表面的初始阶段,样品中 H 原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和.入射能量越大,样品中 H 原子的滞留量也就越大.样品在 H2+的轰击下,样品 Si、C 原子会发生刻蚀.入射能量越大,Si 和 C 原子的刻蚀量越大.在相同入射能量下,Si 原子的刻蚀量大于 C 原子.生成的产物中,以 H,H2和 SiH4为主;产物 H2的量随着能量的增加而减小.其他产物随着入射能量的增加而增加.

关键词：分子动力学、入射能量、滞留H原子、刻蚀

所属期刊栏目：31

分类号：TL62+7(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国际热核聚变实验堆ITER计划专项资助课题2009GB104006;贵州省优秀青年科技人才培养计划资助课题700968101

在线出版日期：2011-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：85-90