ECR-PECVD制备SiO2薄膜中衬底射频偏压的作用

摘要：

采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD）技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜，研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外线光谱(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)三维形貌图测量等手段，对成膜特性进行了分析。实验结果表明，通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量，对ECR-PECVD成膜的内应力、溅射现象、微观结构和化学计量均有明显的影响。

关键词：电子回旋共振等离子体、SiO2薄膜、射频偏压

所属期刊栏目：21

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64