浅析多晶硅杂质引入因素及解决方案

摘要：

如何进一步降低卤硅烷中杂质含量,使国内多晶硅的质量达到国外电子级水平一直是行业关注的话题.本文首先阐述了改良西门子法生产多晶硅流程中杂质的主要来源,其次概述了近些年国内外关于痕量硼、磷等杂质高效去除的技术方案,着重探索了络合法、吸附法、部分水解法等杂质去除机理;最后提出了电子级多晶硅国产化进程中应侧重的提纯技术研究方向.

关键词：多晶硅、电子级、杂质、机理、提纯技术

分类号：TQ(化学工业)

资助基金：内蒙古自治区科技重大项目2021ZD0042

在线出版日期：2023-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18