深能级瞬态谱检测电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量的研究应用

摘要：

本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符合测试预期.虽然整体变温结果仍然无法进行有效数据拟合,但从测试结果表明,测试条件在137K时,发现有一相对较强特征峰,根据该峰对应的瞬态测试曲线推定是Zn元素产生的,浓度约在2×1014cm-3.

关键词：深能级瞬态谱、电子级多晶硅、痕量Zn元素

分类号：TQ(化学工业)

在线出版日期：2023-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：57-59