改变金属前驱物来优化二硫化钼材料的生长

摘要：

由于过渡金属硫族化合物与石墨烯的结构类似,并且具有带隙,这使得其在电子器件方面有着良好的应用前景.有趣的是,可以通过改变二硫化钼的层数来调控其禁带宽度,将其转变为直接带隙半导体.本文主要介绍了通过化学气相沉积法生长单层二硫化钼材料,并总结出金属前驱物对二硫化钼材料生长的调制效应.

关键词：过渡金属硫族化合物;二硫化钼;化学气相沉积;金属前驱物

分类号：TQ423.2

资助基金：聊城大学博士后启动基金项目编号:318052054

在线出版日期：2021-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：145-147