聚偏氟乙烯共聚物薄膜铁电性能和电容特性研究

摘要：

制备了以聚苯乙烯磺酸(PSSH)为上下界面层的聚(偏氟乙烯)(PVDF)二元共聚物聚(偏氟乙烯三氟乙烯)”P(VDF-TrFE)”及聚(偏氟乙烯氯氟乙烯)”P(VDF-CTFE)”的三明治结构电容器,研究了P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE)2两种共聚物薄膜的铁电性能和电容特性.结果表明,厚度为60nm的Ti/PSSH/P(VDF-TrFE)/PSSH/Ti超薄薄膜表现出优异的铁电性能;而厚度为100nm的Ti/PSSH/ P(VDF-CTFE)/PSSH/Ti薄膜表现出较好的电容特性,存储能量密度高达60J/cm3.研究结果为其在电子器件上的应用提供理论指导.

关键词：铁电性、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯)、电容性、超薄薄膜

所属期刊栏目：42

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：152-154