CVD法制备碳纳米管中应用硫添加物的热力学研究

摘要：

利用俄罗斯科学院研制的CVD(Chemical vapor deposition)软件计算分析了CH4-H2S体系在101325Pa、900～1300K,CO-H2S体系在101325Pa、900～1200K下不同硫添加物含量及温度对碳沉积率的影响;绘制了碳沉积边界曲线,预测了碳沉积区;计算筛选出了适合于不同体系制备碳纳米管的催化剂.证明了加入硫添加物可以提高碳纳米管沉积率.

关键词：CVD、碳沉积率、碳沉积边界曲线、碳沉积区

所属期刊栏目：32

分类号：TU4;TE9

在线出版日期：2004-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-38,42