BiVO4的光催化活性及其正电子湮没谱

摘要：

以2,4二硝基苯酚光催化降解为探针反应,考察了BiVO4的光催化降解活性.利用正电子湮没谱分析了焙烧温度对BiVO4光催化活性的影响.结果表明,焙烧温度能引起特定的缺陷数目变化,改变了光催化剂的微观结构.经900℃焙烧的BiVO4催化剂比在其它温度下焙烧的催化剂有较多的表面缺陷数目,可产生表面光生电子-空穴的数目较多,不均匀性,缺陷位的电子密度大,使得其光催化氧化活性增强,即2,4-二硝基苯酚的降解率较高.

关键词：钒酸铋、光催化、24-二硝基苯酚、正电子湮没谱、焙烧温度

所属期刊栏目：28

分类号：O.643.36

资助基金：广州大学科研创新团队项目广大2008127号;广西大学科学技术研究重点项目2004ZD01;广州市属高校科技项目62040

在线出版日期：2013-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：904-907