不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻

摘要：

分别采用低温固相化学法和共沉淀法合成掺杂ZnO粉体,并用这两种粉体在不同温度下烧结制备了ZnO压敏电阻.借助XRD、SEM、TEM、BET等检测手段对粉体产物的性能进行了表征,采用XRD、SEM等手段对ZnO压敏陶瓷的物相、结构进行了分析,并对两种方法制备的粉体及压敏电阻的性能进行了比较研究.结果表明:采用低温固相化学法合成的粉体平均粒径为23.95 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 080 ℃,其电位梯度为791.64V/mm,非线性系数是24.36;采用共沉淀法合成的粉体平均粒径为188 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 130 ℃,其电位梯度为330.99V/mm、非线性系数是19.70,低温固相化学法制备的ZnO压敏电阻性能优于共沉淀法制备的ZnO压敏电阻.

关键词：低温固相化学法、共沉淀法、掺杂ZnO粉体、压敏电阻

所属期刊栏目：26

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国防科技应用基础研究基金A3120061156;四川省重点项目02GG009-011;四川省应用基础研究计划05JY029-072

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：234-237,241