10.3969/j.issn.1673-4076.2011.08.027
晶体硅缺陷的腐蚀及表征
对太阳电池用晶硅片的缺陷表征,目前大都采周厚1mm-3mm的片子进行测试研究,为了与当前批量生产晶硅片相兼容,我们使用常规生产的硅片(厚度180μ m-200um)进行分析测试.文章主要论述了对180μ m-200um厚的常规生产晶硅片的化学抛光、化学腐蚀的实验方法及采用共聚焦显微镜方法进行观察和表征晶体硅缺陷的方法及内容.
晶体硅硅片、化学抛光、腐蚀、共聚焦显微镜、缺陷
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TQ1;TN4
2012-02-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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