酞菁锌0.5-酞菁铜0.5混合膜晶体管的制备与光电特性分析
以ZnPc和CuPc混合物作为有机半导体光敏材料,制备了具有Cu/ZnPc-CuPc/Al/ZnPc-CuPc/ITO 5层垂直结构的有机薄膜晶体管.制备过程采用真空蒸镀及磁控溅射工艺.用波长335 nm、625 nm和700 nm的光照射晶体管时,晶体管工作电流有明显放大,其中波长700 nm光照射时电流放大倍数最大.当Vb=0 V时,工作电流受光照影响最为明显.ZnPc/CuPc混合膜薄膜晶体管在波长335 nm光照射下的光电敏感度最高.将混合材料的有机薄膜晶体管与ZnPc薄膜晶体管及CuPc薄膜晶体管的性能进行比较,得知ZnPc/CuPc混合膜晶体管可利用两种材料的光敏特性,用不同波长的光进行照射,器件均存在较高的光电敏感度,说明该器件可以用于宽波带的光信号检测.
酞菁锌/酞菁铜混合膜、有机薄膜晶体管、垂直结构、光电灵敏度
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TN321.5(半导体技术)
国家自然科学基金61201075
2021-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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