Zn2+浓度对Zn∶ Ce∶ Cu∶ LiNbO3晶体缺陷结构的影响

摘要：

采用单晶提拉法生长了不同Zn2+(1,3,5,7 mol％)离子浓度的Zn∶Ce∶Cu∶LiNbO3单晶,为了研究Zn2离子浓度对Zn∶Ce∶Cu∶LiNbO3单晶缺陷结构的影响,采用光致散射光强阈值方法来测定晶体的抗光损伤能力,用电感耦合等离子原子发射光谱(ICP-AES)测试Zn∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中不同掺杂离子的有效分凝系数.试验结果表明:随着晶体中掺杂Zn2+离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力增强,Zn2+离子分凝系数随着晶体中Zn2浓度增加呈现先升高后降低的趋势,在Zn2浓度为5 mol％时达到最高点;Ce3+和Cu2离子的分凝系数随着Zn2+离子浓度的增加逐渐降低,结合LiNbO3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了相关实验结果.

关键词：锌铈铜铌酸锂晶体、抗光损伤能力、有效分凝系数

所属期刊栏目：24

分类号：TP333.4(计算技术、计算机技术)

资助基金：黑龙江省自然科学基金QC2015061

在线出版日期：2019-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：103-107