垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试

摘要：

传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管(VOTFTs)被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/CuPc/Al(半导电)/CuPc/Au.其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的.VOTFT通过栅-源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流.在室温下对其进行基本的电气测量.实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性.漏-源极偏压VDS保持在2V时,在栅-源极上施加频率为100 Hz的方波交流信号,得到器件的开关特性参数为t.n=2.68 ms,toff=1.32 ms.在栅-源极上施加正弦波交流信号时,器件的截止频率和放大带宽分别为400 Hz,400 Hz.可知VOTFT具有工作频率高,响应速度快,电流密度大的优点.

关键词：有机薄膜晶体管、半导电Al栅极、酞菁铜、肖特基势垒

所属期刊栏目：20

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61201075

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20