垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性

摘要：

针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作电流大、载流子迁移率高.在偏压条件KGS为0.2V,VDS为3V时,漏源极电流IDS达到9.15mA,开启电压Vth仅在1.35V左右,可以作为有机发光二极管的驱动单元,具备了实用化特性.

关键词：氧化锌薄膜晶体管、低驱动电压、磁控溅射、载流子迁移率

所属期刊栏目：19

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目12511120

在线出版日期：2014-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-34,39