Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性

摘要：

以Si(111)为衬底,采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃衬底上成功制备了A1/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触,根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV,理想因子为12.6,理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时,暗电流为24.19 mA,当用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基结,在3V偏压时,先生电流为3.28 mA,表明A1/ZnO/Ag紫外探测器有明显的光响应特性.

关键词：紫外探测、肖特基二极管、ZnO薄膜、I-V特性

所属期刊栏目：17

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目12511120

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：57-60