期刊专题

10.3969/j.issn.1007-2683.2010.04.010

酞菁铜有机薄膜肖特基二极管的研制

引用
提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温下测试该二极管的电流-电压(I-V)特性发现,其整流系数可达103.根据实验所得的电容-电压(C-V)的测试结果,得到该二极管的肖特基势垒高度在0.7V.

薄膜二极管、有机半导体、气相沉积、电容-电压

15

TN321.5(半导体技术)

黑龙江省科技攻关项目GC04A107

2010-10-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

38-41

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哈尔滨理工大学学报

1007-2683

23-1404/N

15

2010,15(4)

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