真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析

摘要：

采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400 Ω.用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103 nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加.

关键词：铟锡氧化物、真空蒸发镀膜、方阻、透光率

所属期刊栏目：13

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：黑龙江省自然科学基金E2004-05;黑龙江省教育厅科学技术研究项目11511091

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：93-95