Mg掺杂对 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响

摘要：

应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba 0.6Sr0.4TiO3-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5%时,其介电常数为380,损耗因子为0.013,电容变化率为17.5%,电阻率为1.0×1012Ω@crm.

关键词：BST薄膜、掺杂、介电性能

所属期刊栏目：7

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：湖北省敦育厅重大项目2001Z01007

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：51-52,59