10.3969/j.issn.1007-2683.2002.06.022
掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO2介电与压敏性质
研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO2材料介电和压敏性质.当Pr6O11的量分数从0%增加适到0.1%时,SnO2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr6O11的量分数从0%增加到0.1%时,SnO2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76 μm.晶界势垒高度测量揭示SnO2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO2晶粒减小的根源也进行了解释.
镨、二氧化锡、压敏电阻、介电常数、击穿电压
7
TN379(半导体技术)
国家自然科学基金50072013
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
48-50