层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

摘要：

利用电子显微镜比较研究了S出i2Ta2O9(SBT),Bi3TiTaO9(BTT),Bi4Ti3O12(BTO),Bi 3.25La0.75Ti4O12(BLT),SrBi4Ti4O1 5-Bi4Ti3O1 2(SBTi-BT)和SrBi4Ti4O1 5-Bi3 25La0 75Ti 3O1 2(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响,90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.

关键词：铁电存储器、畴界、疲劳

所属期刊栏目：7

分类号：TM221(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金19904005,90207027

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：27-28,31