离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究

摘要：

研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生成Cu15Si4相.IBAD复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于通常Cu-Si退火反应生成ε相的相序.研究证明在Cu-Si界面退火反应系统中,ε相的成核是得到稳定相结构的关键.

关键词：离子束、金属硅化物、相变、薄膜

所属期刊栏目：6

分类号：O484.1(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：75-77