基片温度对氧离子注入硅形成SOI材料的影响

摘要：

系统地研究了氧离子注入时基片的温度对形成硅-绝缘体(SOI)材料的影响.研究结果表明:在氧离子注入时基片温度为550℃,注入能量为150 keV,注入剂量为1.8×1018ions/cm2的条件下,能够形成质量良好的SOI材料.

关键词：离子注入、SOI材料、基片温度

所属期刊栏目：5

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：黑龙江省哈尔滨市学科后备带头人基金9481218023

在线出版日期：2006-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：57-59