之字形β-Ga2O3纳米材料的合成和表征

摘要：

采用溶剂热的方法,以NaN3和GaCl3做反应物,在二甲苯做溶剂的条件下,成功的合成了之字形β-Ga2O3纳米材料.利用XRD,TEM,SAED,EDS,HRTEM,PL和模型分别对之字形β-Ga2O3纳米材料的形貌和结构进行了分析.结果表明,之字形β-Ga2O3纳米材料是良好的单晶,沿着[103]方向子自堆垛生长.另外光致发光光谱也显示之字形β-Ga2O3纳米材料在370 nm处有很强的发射峰,并且发生了几十纳米的蓝移.

关键词：纳米材料、之字形β-Ga2O3、溶剂热、单晶、自堆垛、蓝移

所属期刊栏目：24

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18