旋涂辅助连续离子反应法制备CdS纳米晶及其光电性能

摘要：

为了解决CdS传统制备工艺中连续离子吸附反应(SILAR)法存在的产物颗粒小、敏化层厚度不易提高的问题,将传统SILAR法中的浸泡吸附工艺改为旋涂工艺,采用全新的旋涂辅助连续离子反应法(S-SILR)制备CdS纳米晶颗粒,同时将新旧两种方法制备的CdS纳米晶分别沉积到ZnO纳米棒有序阵列中进行对比研究,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、瞬态光电流等分析手段对产品形貌、结构、光吸收性能和光电转换性能进行了表征和测试.结果表明,利用S-SILR法制备CdS纳米晶光敏层更容易形成对ZnO纳米有序阵列的完全包覆;与传统的浸泡吸附法相比,改进后的旋涂法所得ZnO/CdS复合薄膜在可见光区的光吸收和光电转换性能更加优异.CdS沉积方法的改进对提高太阳电池制备工艺的可操作性及其光电转换性能有一定的指导意义.

关键词：电化学、旋涂辅助连续离子反应法、CdS纳米晶、ZnO纳米棒有序阵列、光电性能

所属期刊栏目：38

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金21173065,21603053;河北省自然科学基金B2014208062,B2014208066;河北省科技计划项目13214413;河北科技大学博士启动基金000691,010087

在线出版日期：2017-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：480-485