直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

摘要：

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数.此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索.

关键词：磁表面态、磁膜、磁畴、硬磁畴、自崩灭、垂直布洛赫线

所属期刊栏目：19

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目;河北省科研项目96165

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：40-42