GaN厚膜翘曲应力特性

摘要：

基于GaN厚膜在蓝宝石基底上外延生长过程中膜厚方向的晶格常数从界面到膜表面呈现弛豫特征的实验结果,建立了一个描述膜厚方向的正应变的力学模型,称为“弛豫模型”,进而计算和讨论了GaN膜边缘处的应力和应变沿膜厚方向的变化,GaN和基底界面处的应力在面内的变化以及中心处的应力和应变沿膜厚方向的变化.

关键词：GaN厚膜、蓝宝石、弛豫、应变、应力

所属期刊栏目：45

分类号：TN30(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61204013,11474012;河北省高等学校科学技术研究优秀青年基金Y2012004;河北省自然科学基金E2014202189

在线出版日期：2016-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20