碱性铜抛光液在65 nm多层铜布线平坦化中的应用

摘要：

为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20 (A)/min),而在常压(2psi) CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235(A)/min(工业要求5 000(A)/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60 s可消除约1.162μm的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差＜10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.

关键词：极大规模集成电路、碱性铜抛光液、化学机械平坦化、速率、高低差

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家中长期发展规划重大科技专项2009ZX02308;天津市自然科学基金重点项目10JCZDJC15500

在线出版日期：2016-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5