10.3969/j.issn.1007-2373.2011.02.004
微晶硅薄膜稳定性的研究
通过改变硅烷浓度对微晶硅薄膜材料进行沉积,研究了硅烷浓度与微晶硅晶化率的关系,拉曼光谱的拟合结果表示硅烷浓度越高微晶硅薄膜晶化率越低;研究了不同晶化率的微晶硅薄膜的光衰退现象,结果显示材料的晶化率越高,暗电导率越高,光敏性越低.对微晶硅光电稳定性进行了研究,结果显示微晶硅材料的组成特性决定了其结构特性,材料的光衰退现象主要来自其内部微结构的影响,薄膜材料中的非晶硅组分是导致材料光衰退的主要原因,材料晶化率越高,非晶硅成分含量越低,材料稳定性越好.过渡区附近的微晶硅材料的结构及光电特性更适于制备微晶硅电池.
微晶硅、晶化率、薄膜、太阳能电池、稳定性
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O742.9(晶体化学)
国家中长期科技发展规划02科技重大专项2009ZX02308;高等学校博士学科点专项科研基金资助20050080007
2011-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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