期刊专题

10.3969/j.issn.1007-2373.2011.02.004

微晶硅薄膜稳定性的研究

引用
通过改变硅烷浓度对微晶硅薄膜材料进行沉积,研究了硅烷浓度与微晶硅晶化率的关系,拉曼光谱的拟合结果表示硅烷浓度越高微晶硅薄膜晶化率越低;研究了不同晶化率的微晶硅薄膜的光衰退现象,结果显示材料的晶化率越高,暗电导率越高,光敏性越低.对微晶硅光电稳定性进行了研究,结果显示微晶硅材料的组成特性决定了其结构特性,材料的光衰退现象主要来自其内部微结构的影响,薄膜材料中的非晶硅组分是导致材料光衰退的主要原因,材料晶化率越高,非晶硅成分含量越低,材料稳定性越好.过渡区附近的微晶硅材料的结构及光电特性更适于制备微晶硅电池.

微晶硅、晶化率、薄膜、太阳能电池、稳定性

40

O742.9(晶体化学)

国家中长期科技发展规划02科技重大专项2009ZX02308;高等学校博士学科点专项科研基金资助20050080007

2011-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

13-15

暂无封面信息
查看本期封面目录

河北工业大学学报

1007-2373

13-1208/T

40

2011,40(2)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn