ULSI多层布线钨插塞CMP粗糙度的影响因素分析

摘要：

随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文主要研究多层互连钨插塞材料CMP过程中的表面粗糙度影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响粗糙度的主要因素,确定了获得较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.

关键词：ULSI、多层布线、钨插塞、CMP、粗糙度

所属期刊栏目：40

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家中长期科技发展规划02科技重大专项2009ZX02308;国家自然科学基金联合基金NSAF10676008;高等学校博士学科点专项科研基金20050080007

在线出版日期：2011-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5