厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响

摘要：

通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为d=35am时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度d=150 nm时获得最小电阻率～2.1×104Ωcm,而光学特性有所恶化.通过性能指数Φ比较,d=110nnl厚度的IMO薄膜光电性能较好.

关键词：电子束蒸发技术、In2O3:Mo(IMO)薄膜、薄膜厚度、高迁移率、晶体结构

所属期刊栏目：39

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家"973"重点基础研究项目2006CB202602,2006CB202603;天津市应用基础及前沿技术研究计划09JCYBJC06900

在线出版日期：2011-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-3