氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

摘要：

氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.

关键词：GaN、自支撑GaN、HVPE、金属有机化学气相沉积(MOCVD)

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：河北省自然科学基金2007000119

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-19