退火条件对注Mn GaAs结构的影响

摘要：

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.

关键词：离子注入、砷化镓、磁性粒子、原子力显微镜、磁力显微镜、二次离子质谱

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.7(半导体技术)

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45