基于EIT技术的微区薄层电阻无接触测试技术研究

摘要：

论述了用无接触方法测试大型硅片电阻率均匀性的新方案.回顾了EIT技术的发展与成果,对其基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并就测试细节做了进一步探索,最后就其应用前景作了展望.这一技术与传统的四探针技术相比,不仅在理论上将有相同的分辨率,并且具有快速,不损坏硅片的特点.

关键词：电阻抗断层成像技术、正问题、逆问题、四探针技术、薄层电阻

所属期刊栏目：35

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2006-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：72-76