GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展

摘要：

栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.

关键词：功率GaAsMESFET、击穿电压、低温砷化镓、镓铟磷、钝化

所属期刊栏目：33

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金E059905019;中-法合作项目P29L35/EP934

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：35-40