期刊专题

10.3969/j.issn.1007-2373.2002.06.007

半磁半导体材料GaMnAs

引用
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.

GaMnAs、半磁半导体、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质

31

TN303(半导体技术)

河北省教育厅科研项目2001228

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

35-42

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河北工业大学学报

1007-2373

13-1208/T

31

2002,31(6)

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