半磁半导体材料GaMnAs

摘要：

利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.

关键词：GaMnAs、半磁半导体、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质

所属期刊栏目：31

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：河北省教育厅科研项目2001228

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：35-42