用于ULSI铜布线的化学机械抛光分析

摘要：

对ULSI中多层金属铜布线的CMP(化学机械抛光)进行了理论分析,介绍了Cu-CMP模型与机理及其动力学过程,抛光液的种类及其存在的问题,并对CuCMP的研究作了进一步探讨.

关键词：ULSI、铜、化学机械抛光、抛光液

所属期刊栏目：31

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：河北省教委博士基金;教育部优秀青年教师资助计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：33-37