热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响

摘要：

对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在950 ℃下进行了不同As压的热处理,研究了热处理对材料电特性的影响.发现在950 ℃温度和低As压条件下进行14 h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷,并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻率明显增加.这些受主缺陷的产生是由于高温和低As压条件下GaAs晶体中发生As间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的As气压,可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化.

关键词：半绝缘砷化镓、本征受主缺陷、砷间隙扩散、砷压、热处理

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：河北省教育厅科研项目Z2001220

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38